原位加热芯片
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原位加热芯片
详细信息 程序升温原位气体反应系统是在标准的样品台基础上搭建可视化nona-lab和四电极反馈控温模块,在透射电镜中实现样品的气氛环境皮米级高分辨成像和精准、均匀、安全控温,温度精度优于±0.1k,温度范围rt~1000℃,气压范围:低于2000mbar。 通过精的热场模拟及独特的芯片设计,实现无漂移加热过程,可在加热升温过程中实现实时观测成像。原位气氛反应纳流控安全管理系统实现纳升级别流体引入,高效精控制气体池中的流体的流速流量,z低为10nl/s,引入流体在极其微量级别,即使在芯片窗体薄膜破裂的情况下,也不会有大量气体渗漏,使得电镜的安全得以保证,实验不受影响可持续进行。 技术参数: 适用极靴 st,xt,t,biot,hrp,htp,crp 适用电镜 fei,jeol,hitachi 倾转角 静态α=±25°,流体α=±20° 安全性 100 (hr)eds/eels √ (hr)tem/stem √ 加热电极数 4 加热均匀性 ≥99.5% 温度精度 ±0.1k 适用气氛 h2,he,n2,o2,ar,h2o,co, co2,cxhy... 压力范围 0~2000mbar 流道数 4 气体池厚度 100~200nm 窗口膜厚 10nm,25nm,50nm 适用样品 静态,流体 程序升温原位气体反应系统独特优势: 1.皮米级分辨率 a.超薄气夹层(100-200nm) b.超薄氮化硅膜(可达10nm) 2.温控确 a.四电极形成反馈控制系统,控温准 b.温度范围rt~1000℃,精度±0.1k c.观测区域全覆盖,升温快且均匀,升温过程不漂移 3.安全性高 a.气体流道采用防腐设计 b.纳流控系统防渗漏 c.气体流速可控,z低10nl/s 应用领域: 1.化学领域:热催化、水汽重整、石油裂解、煤制油、合成氨 2.材料科学领:石墨烯及其他二维材料cvd生长 更多访问: http://www.chip-nova.com.cn/sonlist-1688744.html https://www.chem17.com/st384871/erlist_1688744.html |